张见

简历：

2008年9月——2012年6月，在曲阜师范大学物理工程学院（系）获得学士学位。

2015年9月——2020年6月，在中国科学院上海微系统与信息技术研究所硕博连读，获工学博士学位。

2020年10月——至今 无锡学院电子信息工程学院 讲师

研究方向：半导体光电材料与器件

主持科研项目：

2021-2024  以石墨烯为中间层外延GaAs薄膜的研究

 南京信息工程大学滨江学院人才启动项目

参与科研项目：

2012-2016 失配体系异质探测器的低缺陷生长研究

973计划

2013-2017 低倍增电压InGaAs雪崩光电探测器研究

国家自然科学基金面上项目

2017-2021 InP基InGaAsBi材料及其短波红外探测器研究

国家自然科学基金面上项目

2016-2020 扩展波长InGaAs大面积高性能的材料及器件研究

重点研发计划

获奖情况：

2018年 中国科学院大学三好学生

2018年 中科院上海微系统与信息技术研究所 所长奖学金

2019年 中科院上海微系统与信息技术研究所 所长奖学金

已发表SCI论文：

[1] J．Zhang, X. Y. Chen, Y. J. Ma, Q. Gong, Y. H. Shi, N. N. Yang, H. Huang, G. X. He, Y. Gu, Y. G. Zhang, Optimization of In_0.6Ga_0.4As/InAs electron barrier for In_0.74Ga_0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2019 (512): 84-89.

[2] J. Zhang, X. Y. Chen, Y. Gu, Q. Gong, W. G. Huang, B. Du, H. Huang, Y. G. Zhang, Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018 (6): 660-665.

[3] W. Y. Ji, Y. Gu, J. Zhang, Y. J. Ma, X. Y. Chen, Q. Gong, W. G. Huang, Y. H. Shi, G. X. He, H. Huang, and Y. G. Zhang, 3 μm InAs quantum well lasers at room temperature on InP, Applied Physics Letter, 2018 (113): 232103.

[4] Y. Gu, W. G. Huang, J. Zhang, X. Y. Chen, Y. J. Ma, H. Huang, G. X. He, and Y. G. Zhang, Mid-infrared emissions from In(Ga)As quantum wells grown on GaP/Si(001) substrates, AIP Advances, 2018 (8): 125318.

[5] X. Y. Chen, Y. Gu, Y. G. Zhang, Y. J. Ma, B. Du, J. Zhang, W. Y. Ji, Y. H. Shi, and Y. Zhu, Growth temperature optimization of GaAs-based In_0.83Ga_0.17As on In_xAl_1-xAs buffers, Journal of Crystal Growth, 2018 (488): 51–56.

已发表国际会议论文：

[1] J. Zhang, W. G. Huang, H. Huang, G. X. Hea, Y. G. Zhang, Y. J. Ma, Q. Gong, and Y. Gu, Research on wavelength extended InGaAs detector materials, 4^th Optoelectronics Global Conference, Sep.03-06, 2019, Shenzhen/China. Oral.

[2] J. Zhang, X. Y. Chen, Y. J. Ma, Q. Gong, Y. H. Shi, N. N. Yang, H. Huang, Y. Gu, and Y. G. Zhang, Optimization of In_0.6Ga_0.4As/InAs electron barrier for In_0.74Ga_0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy, 20^th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sep.02-07, 2018, Shanghai/China. Poster.

已发表国内会议论文：

[1] 张见，黄卫国，陈令修，顾溢，王浩敏， 马英杰，黄华，何桂香，龚谦，张永刚，石墨烯上GaAs材料的分子束外延生长，第十三届全国分子束外延学术会议，8月14-17，2019，山东烟台，口头报告

[2] 张见，陈星佑，顾溢，马英杰，奚苏萍，杜奔，张永刚，InP基In_0.83Ga_0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化，第十二届全国分子束外延学术会议，8月15-18，2017，山西太原，墙报